semiconductor group 1 11.96 multi topled ? cathodes on one side lsg t677 besondere merkmale l geh?usebauform: p-lcc-4 l geh?usefarbe: wei? l als optischer indikator einsetzbar l zur hinterleuchtung, lichtleiter- und linseneinkopplung l beide leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar l hohe signalwirkung durch farbwechsel der led m?glich l bei geeigneter ansteuerung, farbwechsel von grn ber gelb und orange bis super-rot m?glich l fr alle smt-bestck- und l?ttechniken geeignet l gegurtet (8-mm-filmgurt) l st?rimpulsfest nach din 40839 features l p-lcc-4 package l color of package: white l for use as optical indicator l for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses l both chips can be controlled separately l high signal efficiency possible by color change of the led l with appropriate controlling it is possible to change color from green to yellow and orange to super-red l suitable for all smt assembly and soldering methods l available taped on reel (8 mm tape) l load dump resistant acc. to din 40839 streuung der lichtst?rke in einer verpackungseinheit i v max / i v min 2.0. 1) streuung der lichtst?rke in einer led i v max / i v min 3.0. 1) bei multiled ? bestimmt die helligkeit des jeweils dunkleren chips in einem geh?use die helligkeitsgruppe der led. luminous intensity ratio in one packaging unit i v max / i v min 2.0. 1) luminous intensity ratio in one led i v max / i v min 3.0. 1) in case of multiled ? , the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the led. typ type emissions- farbe color of emission farbe der licht- austrittsfl?che color of the light emitting area lichtst?rke luminous intensity i f = 10 ma i v (mcd) lichtstrom luminous flux i f = 10 ma f v (mlm) bestellnummer ordering code lsg t677-hk lsg t677-j lsg t677-k lsg t677-jl super-red / green colorless clear 2.5 ... 12.5 4.0 ... 8.0 6.3 ... 12.5 4.0 ... 20.0 - 18 (typ.) 30 (typ.) - q62703-q3370 q62703-q3371 q62703-q3372 q62703-q3373 vpl06837
semiconductor group 2 lsg t677 grenzwerte maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit betriebstemperatur operating temperature range t op C 55 ... + 100 ?c lagertemperatur storage temperature range t stg C 55 ... + 100 ?c sperrschichttemperatur junction temperature t j + 100 ?c durchla?strom forward current i f 30 ma sto?strom surge current t 10 m s, d = 0.005 i fm 0.5 a sperrspannung reverse voltage v r 5v verlustleistung power dissipation p tot 100 mw w?rmewiderstand thermal resistance sperrschicht / umgebung junction / air montage auf pc-board* ) (padgr??e 3 16 mm 2 ) mounted on pc board* ) (pad size 3 16 mm 2 ) r th ja 1) r th ja 2) 480 650 k/w k/w * ) pc-board: fr4 1) nur ein chip betrieben 1) one system on 2) beide chips betrieben 2) both systems on simultaneously notes die angegebenen grenzdaten gelten fr einen chip. the stated maximum ratings refer to one chip.
semiconductor group 3 lsg t677 kennwerte ( t a = 25 ?c) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert value ein- heit unit ls lg wellenl?nge des emittierten lichtes (typ.) wavelength at peak emission (typ.) i f = 10 ma l peak 635 565 nm dominantwellenl?nge (typ.) dominant wavelength (typ.) i f = 10 ma l dom 628 570 nm spektrale bandbreite bei 50 % i rel max (typ.) spectral bandwidth at 50 % i rel max (typ.) i f = 10 ma dl 45 25 nm abstrahlwinkel bei 50 % i v (vollwinkel) viewing angle at 50 % i v 2 j 120 120 grad deg. durchla?spannung (typ.) forward voltage (max.) i f = 10 ma v f v f 2.0 2.6 2.0 2.6 v v sperrstrom (typ.) reverse current (max.) v r = 5 v i r i r 0.01 10 0.01 10 m a m a kapazit?t (typ.) capacitance v r = 0 v, f = 1 mhz c 0 12 15 pf schaltzeiten: switching times: i v from 10 % to 90 % (typ.) i v from 90 % to 10 % (typ.) i f = 100 ma, t p = 10 m s, r l = 50 w t r t f 300 150 450 200 ns ns
semiconductor group 4 lsg t677 relative spektrale emission i rel = f ( l ), t a = 25 ?c, i f = 10 ma relative spectral emission v ( l ) = spektrale augenempfindlichkeit standard eye response curve abstrahlcharakteristik i rel = f ( j ) radiation characteristic
semiconductor group 5 lsg t677 durchla?strom i f = f ( v f ) forward current t a = 25 ?c zul?ssige impulsbelastbarkeit i f = f ( t p ) permissible pulse handling capability duty cycle d = parameter, t a = 25 ?c relative lichtst?rke i v / i v(10 ma) = f ( i f ) relative luminous intensity t a = 25 ?c maximal zul?ssiger durchla?strom i f = f ( t a ) max. permissible forward current
semiconductor group 6 lsg t677 wellenl?nge der stahlung l peak = f (t a ) wavelength at peak emission i f = 10 ma durchla?spannung v f = f ( t a ) forward voltage i f = 10 ma dominantwellenl?nge l dom = f ( t a ) dominant wavelength i f = 10 ma relative lichtst?rke i v / i v(25 ?c) = f ( t a ) relative luminous intensity i f = 10 ma
semiconductor group 7 lsg t677 ma?zeichnung (ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben) package outlines (dimensions in mm, unless otherwise specified) gpl06925 l s g t677 led emission color 1 emission color 2 package cathode: pin 1 cathode: pin 4
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